大学常见专业英语翻译

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大学常见专业英语翻译

1. The American economic system is, organized around a basically private-enterprise, market-oriented economy in which consumers largely determine what shall be produced by spending their money in the marketplace for those goods and services that they want most.

[参考译文] 美国的经济是以基本的私有企业和市场导向经济为架构的，在这种经济中，消费者很大程度上通过在市场上为那些他们最想要的货品和服务付费来决定什么应该被制造出来。

2. Thus, in the American economic system it is the demand of individual consumers, coupled with the desire of businessmen to maximize profits and the desire of individuals to maximize their incomes, that together determine what shall be produced and how resources are used to produce it.

[参考译文] 因此，在美国的经济体系中，个体消费者的需与商人试图最大化其利润的欲望和个人想最大化其收入效用的欲望相结合，一起决定了什么应该被制造，以及资源如何被用来制造它们。

3. If, on the other hand, producing more of a commodity results in reducing its cost, this will tend to increase the supply offered by seller-producers, which in turn will lower the price and permit more consumers to buy the product.

[参考译文] 另一方面，如果大量制造某种商品导致其成本下降，那么这就有可能增加卖方和制造商能提供的供给，而这也就会反过来降低价格并允许更多的消费者购买产品。

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When a material exhibits a linear relationship between stress and strain, it is said to be linear elastic. This is an extremely important property of many solid materials, including most metals, plastics, wood, concrete, and ceramics. The linear relationship between stress and strain for a bar in tension can be expressed by the simple equation σ=Eε （3） in which E is a constant of proportionality known as the modulus of elasticity for the material.

当材料在应力和应变之间显示线性关系，据说这就是线弹性。对于许多固体材料包括大多数的金属、塑料、木材、混凝土及陶瓷，这是一种极其重要的性质。一个受张力的棒材在应力和应变之间的线性关系可以用简单的方程σ=Eε （3）来表达，其中E是一个比例常数，被称为是材料的弹性模量。

Note that E has the same units as stress. The modulus of elasticity is sometimes called Young's modulus, after the English scientist Thomas Young (1773~1829) who studied the elastic behavior of bars. For most materials the modulus of elasticity in compression is the same as in tension.

要注意E具有与应力相同的单位。弹性模量有时也称为杨氏模量，这是以研究棒材的弹性性能的英国科学家汤姆斯杨所命名的。对于大多数材料来说，受压缩与受拉伸的弹性模量是相同的。

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CMOS运行n沟道和p -通道与先进的工艺制造的晶体管模块，如轻掺杂漏和硅化物。掩模组基本相同采用什么第6英寸的基准进程的S除外（CMOS150）/ D和接触口罩。它使打印0.4微米器件，S / D值口罩进行了修改，以聚植入整个地区。 ________________________________________________________________________ 0.0启动晶片（10）:36-63欧姆厘米，p型，“100”,6“ ________________________________________________________________________ 1.0初始氧化：目标= 25(+ / - 5%)纳米包括2日下午蚀刻特性的假人。 ________________________________________________________________________ 1.1薄层清洁炉管（tystar2） _______________________________________________________________________ 1.2标准清洁晶圆sink9（马鞍山端）： 10 / 1至dewet，旋转干高频下降。 ________________________________________________________________________ 1.3干式氧化在950℃（2DRYOX）: 30分钟。

干氧 20分钟。干燥的氮气测量氧化层厚度弓形体= ________________________________________________________________________ 2.0零层摄影标准深紫外线光刻工艺： HMDS为（项目1 svgcoat6），大衣（程序在svgcoat6 2），转速= 1480,UV210 - 0.6），软烘烤（130℃接近），暴露（ASML的，零分面具，30 mJ/cm2），烘（程序1,130 svgdev6丙），开发（程序在svgdev6 1）。硬烘烤：UVBAKE（程序ĵ） ________________________________________________________________________ 2.1零层蚀刻到基板： 1）蚀刻氧化物lam2 SIO2MON食谱。检查实际蚀刻率，调整时间。 b）在lam4蚀刻硅（目标深度= 1200）食谱= 6000，蚀刻时间30秒。注：其他选项lam4食谱6200，六氟化硫= 25秒，氯气= 30秒（食谱200和6000合并在一起）三）抄写员人数很多，每个晶圆片，包括控制。

光刻胶灰基体中。四）测量的深度标记对齐使用asiq。 ________________________________________________________________________ 3.0垫氧化/氮化物沉积：目标= 25 + 180纳米二氧化硅纳米氮化硅 ________________________________________________________________________ 3.1薄层清洁炉管（tystar2）。储备tystar9。 ________________________________________________________________________ 3.2标准的sink9清洁晶圆（MEMS与马鞍山，浸至dewet）到高频25:1。包括北华捷报，PCH的控制晶片。 ________________________________________________________________________ 3.3干式氧化在1000℃（2DRYOX）: 21分钟。干氧 15分钟干燥氮气退火。在测量和NCH PCH的氧化层厚度。 ________________________________________________________________________ 3.4存款180纳米氮化硅立即（9SNITA）：约。时间= 55分钟。

，温度.= 800长氮化物厚度测量。（nanospec）。 ________________________________________________________________________ 4.0 N阱图片：标准深紫外线光刻工艺。面膜：N阱（暗场）标准烤箱烤（30分钟。，120丙） _______________________________________________________________________ ________________________________________________________________________ 5.0氮化物蚀刻：等离子蚀刻在lam4氮化。食谱：200 功率：125 W的时间：〜85秒。 Overetch：无选择性：氮化硅：公关= 1:1 测量弓形体每个工作晶圆。（2 pnts测量）。不要删除公关。检查。覆盖厚度测量公关活动area.tpr“= 700nm的硬再次烘烤（2小时，120℃） ________________________________________________________________________ 6.0 N阱种植：包括遗产部。分裂：晶圆#1-5，遗产部：磷，1E13/cm2,150千电伏。

晶圆#6-10：磷，2E13/cm2,150千电伏。 ________________________________________________________________________ 7.0氮化物清除： _______________________________________________________________________ 7.1。矩阵公关中删除。在sink9微食人鱼清洁片 _______________________________________________________________________ 7.2。蚀刻新鲜160荤磷酸氮化sink7（〜4小时） ________________________________________________________________________ 7.3。蚀刻在5:1的BHF垫氧化氮在sink7直到dewet。包括北华捷报，遗产部。 ________________________________________________________________________ 8.0垫氧化/氮化物沉积：目标= 25 + 180纳米二氧化硅纳米氮化硅 ________________________________________________________________________ 8.1薄层清洁炉管（tystar2）。储备tystar9。 _______________________________________________________________________ ...