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电子公司笔试题

11月28日 编辑 fanwen51.com

[微电子专业学生的自我介绍]微电子专业学生的自我介绍 我叫***是一名本站,就读**职业技术学院,电子信息工程系,微电子专业。大学的三年里,老师的教诲,同学的友爱以及各方面的熏陶,使我获得了许多知识,懂得了许...+阅读

IC 设计基础(流程、工艺、版图、器件)

1、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路相

关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA

等的概念)。(仕兰微面试题目)

2、FPGA 和 ASIC 的概念,他们的区别。(未知)

答案:FPGA 是可编程 ASIC。

ASIC:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一个

用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与门阵

列等其它 ASIC(Application Specific IC)相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、

开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点

3、什么叫做 OTP 片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目)

4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目)

5、描述你对集成电路设计流程的认识。(仕兰微面试题目)

6、简述 FPGA 等可编程逻辑器件设计流程。(仕兰微面试题目)

7、IC 设计前端到后端的流程和 eda 工具。(未知)

8、从 RTL synthesis 到 tape out 之间的设计 flow,并列出其中各步使用的 tool.(未知)

9、Asic 的 design flow。(威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题)

10、写出 asic 前期设计的流程和相应的工具。(威盛)

11、集成电路前段设计流程,写出相关的工具。(扬智电子笔试)

先介绍下 IC 开发流程:

1.)代码输入(design input)

用 vhdl 或者是 verilog 语言来完成器件的功能描述,生成 hdl 代码

BBS 语言输入工具:SUMMIT VISUALHDL

h5k'?4]%Z6s1mMENTOR RENIOR

图形输入: poser(cadence);

viewlogic (viewdraw)

2.)电路仿真(circuit simulation)

将 vhd 代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确

数字电路仿真工具:

BBSVerolog: CADENCE Verolig-XL

MENTOR Modle-sim

VHDL : CADENCE NC-vhdl

4MENTOR Modle-sim 2A.

模拟电路仿真工具: ***ANTI HSpice pspice,spectre micro microwe: eesoft : hp

3.)逻辑综合(synthesis tools)

逻辑综合工具可以将设计思想 vhd 代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真中

所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。

最终仿真结果生成的网表称为物理网表。

12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目)

13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素?

(仕兰微面试题目)

14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)

15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到 0.25,0.18 指的是什么?(仕兰微面试题目)

16、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)

17、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)

18、描述 CMOS 电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)

19、解释 latch-up 现象和 Antenna effect 和其预防措施.(未知)

20、什么叫 Latchup?(科广试题)

2

1、什么叫窄沟效应? (科广试题)

2

2、什么是 NMOS、PMOS、CMOS?什么是增强型、耗尽型?什么是 PNP、NPN?他们有

什么差别?(仕兰微面试题目)

2

3、硅栅 S 工艺中 N 阱中做的是 P 管还是 N 管,N 阱的阱电位的连接有什么要求?(仕

兰微面试题目)

2

4、画出 CMOS 晶体管的 CROSS-OVER 图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性

和转移特性。(Infineon 笔试试题)

2

5、以 interver 为例,写出 N 阱 CMOS 的 process 流程,并画出剖面图。(科广试题)

2

6、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. pare the resistance of a

metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process. ( 威 盛 笔 试 题 circuit

design-beijing-03.11.09)

2

7、说明 mos 一半工作在什么区。(凹凸的题目和面试)

2

8、画 p-bulk 的 nmos 截面图。(凹凸的题目和面试)

2

9、写 schematic note(?), 越多越好。(凹凸的题目和面试)

30、寄生效应在 ic 设计中怎样加以克服和利用。(未知)

3

1、太底层的 MOS 管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题,因为全是微电子物理,公

式推导太罗索,除非面试出题的是个老学究。IC 设计的话需要熟悉的软件: Cadence,Synopsys,

Avant,UNIX 当然也要大概会操作。

3

2、unix 命令 cp -r, rm,uname。(扬智电子笔试)

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