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电子行业公司笔试题目

11月23日 编辑 fanwen51.com

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14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)

15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题目)

16、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)

17、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)

18、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)

19、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.(未知)

20、什么叫latchup?(科广试题)

2

1、什么叫窄沟效应? (科广试题)

2

2、什么是nmos、pmos、cmos?什么是增强型、耗尽型?什么是pnp、npn?他们有什么差别?(仕兰微面试题目)

2

3、硅栅s工艺中n阱中做的是p管还是n管,n阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微面试题目)

2

4、画出cmos晶体管的cross-over图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。

(infineon笔试试题)

2

5、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。(科广试题)

2

6、please explain how we describe the resistance in semiconductor. pare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional cmos process.(威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09)

2

7、说明mos一半工作在什么区。(凹凸的题目和面试)

2

8、画p-bulk 的nmos截面图。(凹凸的题目和面试)

2

9、写schematic note(?), 越多越好。

(凹凸的题目和面试)

30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。(未知)

3

1、太底层的mos管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题,因为全是微电子物理,公式推导太罗索,除非面试出题的是个老学究。ic设计的话需要熟悉的软件:

cadence,synopsys, ant,unix当然也要大概会操作。

3

2、unix 命令cp -r, rm,uname。(扬智电子笔试)

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三、单片机、mcu、计算机原理

1、简单描述一个单片机系统的主要组成模块,并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向。

简述单片机应用系统的设计原则。(仕兰微面试题目)

2、画出8031与2716(2k*8rom)的连线图,要求采用三-八译码器,8031的p2.5,p2.4和p2.3参加译码,基本地址范围为3000h-3fffh。该2716有没有重叠地址?根据是什么?若有,则写出每片2716的重叠地址范围。(仕兰微面试题目)

3、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管(共阳)的原理图。(仕兰微面试题目)

4、pci总线的含义是什么?pci总线的主要特点是什么? (仕兰微面试题目)

5、中断的概念?简述中断的过程。

(仕兰微面试题目)

6、如单片机中断几个/类型,编中断程序注意什么问题;(未知)

7、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速,程序由805

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