急急模拟电子考题

[电子类精选模拟试题及答案]1.最基本的如三极管曲线特性答：即晶体三极管的伏安特性曲线：输入特性曲线和输出特性曲线。输入特性是指三极管输入回路中，加在基极和发射极的电压Ube与由它所产生的基极电流I...+阅读

一、 2.25 Af=A/(1+AF) 3.栅极 6.5V 7.1KΩ 8.1.5V 9.6mV Ui1=Ug+½Uc , Ui2=Ug-½Uc 10.40dB KCMR=Aud/Auc 11.4mV 同9题 12.共射 14.0.2% 负反馈的稳定性是开环增益的1+AF倍（A为开环增益，F为反馈数） 18.略小于因为：第二级的输入电阻作为第一级的输出负载，有分压 19.9V 因为：Uo=(2√2)Ui/π≈0.9Ui 20.正偏，反偏 21.少数，温度，无关 22.0，∞ 23.与20题重复 24.βIb，电流 25.闭环增益，增益稳定度

二、 4.B 看稳压二极管的特性曲线 5.D 画出交流通路就能看出来了 6.D 断开电容之后电阻就有了交流负反馈的作用，是要降低放大倍数的 7.A 8.B 增大输入电阻，减小输出电阻 10.和

一、6的图一样的话就是5V 11.D 积分电路时对电容横流充电的，电容两端电压成线性 12.C 13.B 共集：电流放大共基：电压放大共射：电压电流放大 14.C 15.A 由于三极管的PN结有门槛电压，故当电压太小是过不去，产生交越失真（希望我的回答能够解决你的问题，谢谢！）

谁能给份模电的试卷要有答案的

只有填空题将就一下！！！！

一、填空

1、判断下面句子中带有底划线的词语是否正确，若不正确，则在其后括号内填入正确词语。

在PN结中，P区的电势比N区高（）；未加外部电压时，PN结中空穴的扩散运动方向是从P区到N区（），空穴的漂移运动方向是从N区到P区（），参与扩散运动的载流子数量大于（）参与漂移运动的载流子数量。

2、如图所示串联型稳压电源，将正确答案填写在横线上。

1.输出电压的最小值UOmin= ;

2.输出电压的最大值UOmax= ;

3.VT1管承受的最大管压降UCE1max= 。

3、已知某放大电路的电压放大倍数复数表达式为：

（式中f的单位为Hz）

当信号频率f = 10kHz时，的相位角约为________________；当f = 100Hz时，Φ约为________________；当f = 10MHz时，Φ约为________________。

二、答案

由集成运放A1、A2组成的反馈放大电路如图所示，为使该电路对输入信号能实现放大。

1.试分别用“+”、“-”号标出A1、A2的同相输入端和反相输入端；

2.已知电阻，，设A1、A2均为理想运放，要，试确定R1的阻值。

后面的大题图形没的

模拟电路试题及答案

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原发布者：文鑫网上资料库

模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1.二极管最主要的特性是2.差分放大电路，若uI1=100μV,uI2=80μV则差模输入电压uIdμV；共模输入电压uIcV。3.若三级放大电路中Au1Au230dB,Au320dB，则其总电压增益为dB，折合为4倍。二、选择正确答案填空（20分）1.在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V，则这只三极管是（A）。A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管

2.某场效应管的转移特性如图所示，该管为（D）。A.P沟道增强型MOS管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、N沟道耗尽型MOS管3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C）。A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大5.如图所示复合管，已知V1的β1=30,V2的β2=50，则复合后的β约为（A）。A.1500B.80C.50D.306.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（A）。A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器uI