什么是最大效用准则

[最大的声音是什么什么成语]1、震天动地释义：震：震动；撼：摇动。震动了天地。形容声音或声势极大。出处：《三国志·魏志·文帝纪》：裴松之注：“惟黄初七年五月七日，大行皇帝崩，呜呼哀哉！于时天震地骇。”《水经...+阅读

什么是最大效用准则

效用最大化（maximization of utility）在现代市场经济中，市场运作的主题是企业和个人。市场主体的经济行为都有着自己的目标，并以明智的方式追求这一目标。个人追求的目标就是效用最大化，即在个人可支配资源的约束条件下，使个人需要和愿望得到最大限度的满足。企业追求的目标是利润的最大化。这里不对“利润”做纯经济学的分析，而仅指把利润定义为企业生产经营的总收入减去总费用的差额部分。利润最大化的含义就是：如果上述的差额是正值，则越大越好；如果是负值，则越小越好。利润最大化不过是效用最大化的变形，它突出了效用的货币收益方面，而忽略掉非货币收益方面。

新的土地估价规程估价原则有哪些

1、替代原则：土地估价以相邻地区或类似地区功能相同或相近、条件相似的土地市场交易价格为依据，估价结果不得明显偏离具有替代性质的土地客观价格；

2、最有效利用原则：土地估价应以待估宗地的最有效利用为前提。判断土地的最有效利用以土地利用是否符合其自身利用条件、法律法规政策及规划限制、市场要求和最佳利用程度等为依据；

3、预期收益原则：土地估价应以待估宗地在正常利用条件下的未来客观有效的预期收益为依据；

4、供需原则：土地估价应以市场供需决定土地价格为依据，并充分考虑土地供需的特殊性和土地市场的地域性；

5、贡献原则：不动产总收益是由土地及其他生产要素共同作用的结果，土地价格可根据土地对不动产收益的贡献大小确定。

国有土地使用权出让是否必须依照评估价格

在采用有关方法计算土地使用权出让价格之前，应广泛搜集资料，经过现场勘查和测量，并分析、测算有关数据。

搜集的资料主要包括：被评估地块的地籍资料、城市规划资料以及被评估地块所处地段等级资料、被评估地块的批租文件资料、地产市场的成效实例资料、关于土地使用权出让价格有关政策规定、土地管理法规条例等。搜集资料要可靠、全面、及时，并在搜集资料的基础上进一步筛选、整理和归类。

现场勘查的主要内容包括：地块的形状、坡度和面积，地质、水文条件，地上物和地下物的布设状况，地块的经济地理环境状况。勘查之后，应对被评估地块现状做出尽可能详尽、正确的书面描述。

分析、测算的有关数据包括：测算被评估地块开发建设总成本，估算开发建设完成后能实现的市场销售额（或租或卖）及投资回收期，估算开发建设和经营投资盈利率，初步试算土地使用权出让价格。

场效应管使用原则

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1(a)符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN

（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO

1、3DO

2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。 MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。下面说明检测方法。 1.准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。 2.判定电极将万用表拨于R*100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。 3.检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G

1、G2。为区分之，可用手分别触摸G

1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。 VMOS场效应管 VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A~100A）、输出功率高（1~250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点：第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN40

1、VN67

2、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。其中，IRFPC50的外型如图3所示。下面说明检测VMOS管的方法。 1.判定栅极G 将万用表拨至R*1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。 2.判定源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低

（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 3.测量漏-源通态电阻RDS(on) 将G-S极短路，选择万用表的R*1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型...