[公选领导笔试案例题]想要参选领导选拔的同志们，下面这一则笔试案例题是与公选有关的，本站建议大家了解一下。 案例： 日前，某地人民法院开庭审理了一起特殊的行政诉讼案：由于对政府部门数次改变小区的...+阅读

收集一：

一.填空

1.集成电路的分类，按材料，工艺

2.集成电阻的计算，以及其制造工艺

3.Vtp，Vtn的正负判断，分别对于增强型和耗尽型

4.CMOS电路功耗包括哪两个部分，功耗设计主要考虑的因素

（还有几道不记得了）

二.填表

全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的性质

三.填图

CMOS工艺流程填图画图

四.问答

1.CMOS单元负载较大的电容时，只有提高W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电容，如何解决这一矛盾？

2.结合软件谈谈全定制集成电路设计流程

3.谈谈对Layout设计的看法

五.翻版图或者画版图，选一

第二卷

1.什么是格雷码？

2.Nyquist采样定例

3.球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功

4.运算放大器1，2，有几级，各级之间耦合方式有几种，分析各种的优劣。

收集二：1．画出NMOS的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和C-V曲线）

2．2.2um工艺下，Kn＝3Kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。

3．说出制作N-well的工艺流程。

4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。

5．用CMOS画一个D触发器（clk，d，q，q-）

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