Nand flash基本知识

nand flash 原理简介【转】Fisrt part : NAND flash和NOR flash的不同NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。NAND flash使用复杂的I/O口来穿行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写单位为512Byte的页，擦写单位为32页的块。 ● NOR的读速度比NAND稍快一些。 ● NAND的写入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 ● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序（MTD）,NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。 ---------摘抄自网上流传很广的《NAND 和 NOR flash的区别》Second part: NAND Flash结构与驱动分析

一、NAND flash的物理组成 NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208，下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)），每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*(32*528B)=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。 NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： Column Address:Starting Address of the Register. 翻成中文为列地址，地址的低8位 Page Address ：页地址 Block Address ：块地址 对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。

二、NAND Flash地址的表示 512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的column address（列地址），在进行擦除操作时不需要它，why？因为以块为单位擦除。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。A8这一位地址被用来设置512byte的1st half page还是2nd half page,0表示1st,1表示2nd。Block的地址是由A14以上的bit来表示。 例如64MB(512Mb)的NAND flash（实际中由于存在spare area，故都大于这个值），共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是128MB(1Gbit) 的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:14]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。 由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。 以NAND_ADDR 为例： 第1 步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpage pointer即A8 是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage 上进行读 写，而真正的A8 的值是不需程序员关心的。 第2 步就是将NAND_ADDR 右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上； 第3 步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上； 第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上； 因此，整个地址传递过程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB(256Mbit)以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。 下面，就x16 的NAND flash 器件稍微进行一下说明。 由于一个page 的main area 的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage 和2nd halfpage 之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候 A8 完全不用管，地址传递仍然和x8 器件相同。除了，这一点之外，x16 的NAND使用方法和 x8 的使用方法完全相同。

三、NAND flash驱动解读 以前由于做移植多一些，那些工作很简单（现在看来），从来都不用去关心驱动里面到底怎么实现的，这几次面试才发现真的是学的太浅了，似乎我还在学习仰泳而那些牛人基本都属于潜水级的了，潜的不知有多深。我对照着开发板所带的NAND flash驱动和k9f1208的芯片资料把这些代码通读了一遍，终于明白了NAND flash的读写过程是如何实现的了。我所参考的驱动是mizi公司为三星芯片所写的，我看看了，大概和官方2.4.18内核的nand.c差不多。 在s3c2410处理器中有专门的NAND flash控制器，他们位于SFR区，具体可以参看s3c2410用户手册。以下的这些代码均可以在vivi或者kernel里面找到，文中会标明程序出自何处。在vivi中，...

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理解就是沟通。（爱立信）

3.Engineered to move the human spirit.(Mercedes-Benz)

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给电脑一颗奔腾的“芯”。（英特尔 奔腾）

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让我们做的更好。（飞利浦）

11.Enjoy Coca-Cola.(Coca-Cola)

请喝可口可乐。（可口可乐）

12.Generation Next.(Pepsi)

新的一代。（百事）

13.The Relentless Pursuit of Perfection.(Lexus)

追求完美永无止境。（凌志汽车）

14.Communication unlimited.(Motorola)

沟通无极限。（摩托罗拉）

15.Feast your eyes.(Pond's Cucumber Eye Treatment)

滋润心灵的窗户。（庞氏眼贴片）

16.Focus on life.(Olympus)

瞄准生活。（奥林巴斯）

17.Behind that healthy smile,there 's a Crest kid.(Crest toothpaste)

健康笑容来自佳洁士。（佳洁士牙膏）

vb中 Check的用法

原发布者：wbw20050995check[tʃek]注：标绿色的是我觉得平常没有注意到的意思vi.1.证明无误；核对无误；2.将军（象棋）；3.[美国英语]逐项相符；4.停止，停顿，中止；5.龟裂，裂成小方格形；6.【狩猎】（特指在嗅迹消失的情况下）制止（猎狗）追逐vt.1.检查；核对；查阅；2.制止；使突然停止；强迫停止；中止；3.抑止，遏制；4.阻止，阻碍；挫败，击退；5.在…上画（或印）方格图案；6.寄存；（在衣帽间、行李寄存处）暂时存放，接受寄放；7.使裂开，使出现裂缝；8.【航海学】逐渐减少（绳索的）张力；使（强度、速率等）减低n.1.阻止；阻止物；2.支票；3.细裂痕；4.骤然停止；停顿；中止；5.制止者，抑制物；6.（为确定性能或防止错误而进行的）检查或测试7.检验；核对；审核；8.[美国英语]（在衣帽间、行李寄存处）寄存物品的凭证；衣帽牌；行李票；9.[美国英语]餐馆（或酒吧间）的账单；10.方格布；方格织物；11.（赌博用的）筹码；12.一个美元adj.1.用于制止的；控制的；2.用于检查的；核对用的3.有十字形图案的，方格的interj.1.【象棋】“将军！”2.[口语]行；对；好，明白了checkin1.入住登记2.办理登机手续BywhattimeshouldIcheckin？我该什么时候办理登机手续？checkout1.办理退房手续2.结账后离开，办妥手续离去3.借书；调查checkvt.制止。

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